Daha yüksek yoğunluk ve rekor bant genişliği
SK Hynix’in paylaştığı bilgilere göre yeni HBM4E belleği, 32 Gb yonga yoğunluğuna sahip olacak. Bu değer, mevcut HBM4 çözümlerine göre yaklaşık yüzde 33’lük bir artış anlamına geliyor.
Bu yoğunluk artışı sayesinde daha önce HBM4 mimarisinde 16 katmanlı (16-Hi) bir yapı ile elde edilen 48 GB kapasite artık yalnızca 12 katmanlı (12-Hi) bir yığın ile sağlanabilecek. Böylece üreticiler aynı kapasiteyi daha kompakt bir tasarımla sunabilecek ve paketleme verimliliğini artırabilecek. Veya aynı yığında daha yüksek kapasite elde edilebilecek.
Performans tarafında ise HBM4E, 16 Gbps pin hızı sunarak HBM4’e göre yaklaşık yüzde 37 daha yüksek veri aktarım performansı sağlıyor. Bu gelişme toplam bellek bant genişliğini rekor bir seviye olan 4 TB/s seviyesine taşıyor.
HBM4 teknolojisinin bu yıl içerisinde Nvidia Rubin ve AMD MI400 serisi yapay zeka hızlandırıcılarında kullanılması beklenirken, SK Hynix’in tanıttığı HBM4E belleğinin ilk ticari kullanım alanlarından birinin ise Nvidia Rubin Ultra ailesi olması öngörülüyor.
HBM benzeri NAND teknolojisi geliyor
Teknolojinin çalışma prensibi sektörde geliştirilen HBF ve Z-Angle yaklaşımlarına benzerlik gösteriyor. SK Hynix, bu tür çözümlerin özellikle yapay zeka çağında giderek büyüyen bellek ve depolama talebi arasındaki arz açığını azaltmaya yardımcı olabileceğini düşünüyor.
96 GB LPCAMM2 ve yeni V9 NAND ürünleri de sergilendi
Depolama tarafında ise SK Hynix, V9 NAND teknolojisini temel alan yeni çözümlerini sergiledi. Hem QLC hem de TLC sürümleri bulunan V9 NAND tabanlı ürünler, cSSD form faktöründe 2 TB’a kadar kapasite sunabiliyor. DRAM önbelleği kullanmayan bu SSD’lerin yüksek enerji verimliliği sağladığı ve özellikle küçük form faktörlü sistemler için uygun olduğu belirtiliyor.
